产品 参照
中文 EN
首页
关于我们
新品发布
IGBT微沟槽单管产品——光储充新能源应用
IGBT微沟槽单管产品——光储充新能源应用 返回
 新产品宣告

产品介绍 1、TO-247封装50A 650V IGBT单管；
2、电压等级为650V，电流等级为50A@Tc=100℃；
3、主要用于光伏储能充电桩等高频应用；
4、低导通损耗，低开关损耗，高可靠性；
5、采用环保物料，符合RoHS标准；
产品特点 1、最高结温Tjmax=175℃;
2、正温度系数；
3、具有650V的高耐压；
4、低导通损耗，低开关损耗，满足高频应用条件；
5、最新一代微沟槽芯片设计方案，更具性价比的选择；
规格书

DGW50N65CTL0

相关新品

用于吸尘器N40V SGT MOSFETs新品

顺应扁平化趋势的全新插件整流桥-JC

用于光伏微逆的SGT MOSFET 新品

恒VC ESD产品

小信号SOT-723新封装

SKBPC75大电流三相方桥

N60V SGT MOSFET新品

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

TOLL封装 SiC MOSFET

1200V 80 mΩ SIC MOSFET
关于我们
公司简介 企业新闻 发展历程 企业荣誉 合规诚信 新品发布 招聘信息 技工教育 招采平台
产品中心
汽车 整流器件 保护器件 小信号 Mosfet IGBT 模块 SiC 4/5寸晶圆 6寸晶圆 集成电路
应用领域
汽车 清洁能源 工控 电源 智能家居 安防 仪表 通信
品质技术
技术资源 品质文件 可靠性测试 PCN/EOL 公告
投资者关系
概况总览 定期报告 股票行情 GDR OFFERING
关注扬杰
扬杰科技 SZ300373

11.88

▼RMB
截止时间 2023-03-24 15:59:10

热线： 400 106 0780(8:00~12:00 13:30~17:30)

邮箱： yangjie@21yangjie.com

地址： 扬州市邗江区荷叶西路6号

微信扫码关注

©2023 扬州扬杰电子科技股份有限公司 苏ICP备12043831号-1   苏公网安备 32100302010286号
Powered by SE

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示，便表示您已接受我们网站的使用条款。